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IPEN-DOC 11256
- ROSSINI, EDVALDO L.
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Obtencao da blenda polimerica PET/PP/PE/EVA a partir de 'garrafas PET' e estudo das modificacoes provocadas pela radiacao ionizante.
2005.
Tese (Doutoramento) -
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP,
São Paulo.
151 p.
Orientador: Leonardo Gondim de Andrade e Silva.
Palavras-Chave: waste product utilization; solid wastes; plastics; recycling; ionizing radiations; polymers; electron beams; accelerators
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IPEN-DOC 19890
- PEREIRA, LILIAN N.
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Uso de diodos epitaxiais de Si em dosimetria de fótons
/ Use of epitaxial silicon diodes in photon dosimetry
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2013.
Dissertação (Mestrado) -
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP,
São Paulo.
89 p.
Orientador: Josemary Angélica Correa Gonçalves.
DOI:
10.11606/D.85.2013.tde-28012014-081211
Abstract: Neste trabalho são apresentados os resultados da caracterização dosimétrica de dois diodos especiais de silício, resistentes a danos de radiação, crescidos pelo método epitaxial com vistas a sua aplicação na monitoração em tempo real de feixes de fótons de qualidades de radiodiagnóstico convencional, mamografia e tomografia computadorizada, no intervalo de tensão de 28 kV a 150 kV. Os dispositivos utilizados, um submetido à pré-dose de 200 kGy de raios gama do 60Co no Centro de Tecnologia das Radiações (CTR) do IPENCNEN/ SP, e outro sem qualquer irradiação prévia, foram processados na Universidade de Hamburgo a partir de uma camada epitaxial com 50 μm de espessura. Apenas para comparação, um diodo de Si crescido por fusão zonal padrão foi também estudado. As irradiações foram realizadas no Laboratório de Calibração de Instrumentos (LCI) do IPEN/CNEN-SP, onde está instalado um gerador de radiação X, Pantak-Seifert, Isovolt 160 HS, cujas qualidades de radiação foram verificadas por câmaras de ionização padronizadas. Os diodos foram ligados a um eletrômetro Keithley 6517B em modo fotovoltaico, com a distância do ponto focal do gerador aos diodos mantida em 1 m. Os principais parâmetros dosimétricos das amostras foram avaliados de acordo com a norma IEC61674. Os coeficientes de calibração dos diodos em termos do kerma no ar também foram determinados. Os diodos apresentaram excelente estabilidade de resposta em curto prazo para as qualidades estudadas, com coeficientes de variação em corrente equivalentes e não superiores a 0,3%. O comportamento das fotocorrentes em função da taxa de dose foi linear para os três dispositivos no intervalo de 0,8 a 77,2 mGy/min. As curvas carga-dose obtidas pela integração dos sinais de corrente tornaram evidente a ausência de dependência energética para feixes de mamografia e de radiodiagnóstico até 70 kV. O diodo epitaxial sem pré-dose apresentou maior sensibilidade em corrente e em carga em relação aos demais, com queda neste parâmetro de 8% após receber dose acumulada de 49 Gy. Até este limite de dose, as correntes de fuga dos dispositivos mantiveram-se estáveis em cerca de 0,4 pA ao longo das irradiações, sendo menores por um fator até 104 em relação às correntes em condição de irradiação. A variação da resposta direcional de ambos diodos para o intervalo de ± 5° foi inferior a 0,1 % e seus coeficientes de calibração para os feixes estudados foram determinados a partir dos padrões de referência do LCI. As alterações das características elétricas das amostras em função de danos de radiação foram também estudadas e não revelaram alteração significativa para tensão de polarização nula. Com base nos resultados obtidos até o presente e considerando as recomendações da norma IEC 61674, pode-se afirmar que diodos epitaxiais sem pré-dose e com pré-dose podem ser empregados de forma confiável na dosimetria de feixes de radiação eletromagnética para imagens médicas até o limite de dose acumulada de 10 Gy e acima de 206 kGy, respectivamente.
Palavras-Chave: silicon diodes; epitaxy; si semiconductor detectors; electron beams; x-ray diffraction; photon beams; dosimetry; radiation dose units; photon computed tomography; on-line measurement systems; image processing
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IPEN-DOC 05589
- SOUZA, CLEBER N. de
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Desenvolvimento de um sistema dosimetrico para feixes de eletrons de enegias altas.
1994.
Tese (Doutoramento) -
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP,
Sao Paulo.
115 p.
Orientador: Linda Viola Ehlin Caldas.
Palavras-Chave: dosemeters; electron beams; electrons; ionization chambers; nuclear physics; radiation detection; radiation detectors; radiation monitoring
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IPEN-DOC 11520
- ROSARIO, SALMO C. do
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Estudo do efeito da radiação ionizante por feixe de elétrons sobre o polietileno de ultra alto peso molecular virgem e reciclado industrial.
2006.
Dissertacao (Mestrado) -
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP,
Sao Paulo.
Orientador: Leonardo Gondim de Andrade e Silva.
DOI:
10.11606/D.85.2006.tde-29052007-142007
Abstract: O polietileno de ultra alto peso molecular (UHMWPE) é um plástico de engenharia que tem várias aplicações atualmente, mormente em áreas específicas da indústria e da medicina. O UHMWPE pode ser utilizado ainda em outras aplicações: defensas portuárias; guias de corrente; revestimentos de caçambas, silos e calhas; engrenagens; buchas; guias de correias e próteses cirúrgicas. Esta gama de aplicações se deve ao fato das excelentes características técnicas que este material possui, como: alta resistência a abrasão, elevada resistência ao impacto, anti-aderência, atóxico, excelente resistência química, baixo peso específico, fácil usinagem e alta resistência a fadiga. Os tipos de polietileno de ultra alto peso molecular (UHMWPE) utilizados neste trabalho foram o UTEC 3041 e UTEC 6541 da Braskem. A reciclabilidade do UHMWPE ganhou interesse, porque a utilização desta matéria-prima na última década cresceu mais de 600%, tornando-se um dos plásticos de engenharia mais utilizados para obtenção de peças usinadas depois da poliamida. Com o crescimento na utilização deste polímero na confecção de peças para maquinários, o seu desperdício tem sido muito grande, porque o resto deste material é desprezado, geralmente não sendo reaproveitado. Este trabalho tem como objetivo reciclar o UHMWPE UTEC 3041 e estudar as propriedades deste material virgem e reciclado e comparar os resultados entre si e com o UHMWPE UTEC 6541, e com estes materiais submetidos a diferentes doses de radiação.
Palavras-Chave: polyethylenes; ionizing radiations; electron beams; recycling
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IPEN-DOC 02244
- MONTEIRO, WALDEMAR A.
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Segregacao e difusao de defeitos induzidos por radiacao em ligas binarias de cobre.
1984.
Tese (Doutoramento) -
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP,
Sao Paulo.
136 p.
Orientador: Lalgudi Venkataraman Ramanathan.
Palavras-Chave: copper alloys; radiation effects; binary alloy systems; diagrams; electron beams; electron microscopy; images; optical microscopy; point defects; radiation effects; alloy systems; segregation
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IPEN-DOC 06893
- POLI, MARIA E.R.
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Dosimetria aplicada na irradiacao de toda a pele utilizando feixes de eletrons com energia nominal de 4 MeV.
2000.
Dissertacao (Mestrado) -
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP,
Sao Paulo.
73 p.
Orientador: Leticia Lucente Campos Rodrigues.
Palavras-Chave: skin; whole-body irradiation; dosimetry; electron beams; linear accelerators; skin diseases; radiotherapy; radiation dose distributions
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IPEN-DOC 20009
- PASCOALINO, KELLY C. da S.
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Dosimetria de altas doses de raios gama e elétrons com diodos de Si resistentes a danos de radiação
/ Gamma and electron high dose dosimetry with rad-hard Si diodes
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2014.
Tese (Doutorado em Tecnologia Nuclear) -
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP,
São Paulo.
134 p.
Orientador: Carmen Cecilia Bueno.
DOI:
10.11606/T.85.2014.tde-10072014-101330
Abstract: Neste trabalho foram avaliadas as principais características dosimétricas de diodos crescidos pelos métodos de Fusão Zonal (FZ) e Czochralski magnético (MCz), resistentes a danos de radiação, quando aplicados em dosimetria de processos de irradiação industrial com elétrons (1,5 MeV) e raios gama (60Co). O sistema dosimétrico proposto baseia-se no registro de valores de correntes elétricas geradas nos diodos devido à passagem da radiação ionizante. A uniformidade de resposta de um lote de dispositivos foi analisada para os diodos FZ do tipo n irradiados com raios gama. Para uma dose de até 5 kGy obteve-se um coeficiente de variação de 1,25% dos valores de corrente elétrica registrados. A queda da sensibilidade dos diodos com o acúmulo de dose (Total Ionizing Dose TID) foi observada, de acordo com o esperado, para ambos os diodos FZ e MCz, sendo mais acentuada para dispositivos do tipo n ou com resistividade menor, quando irradiados com raios gama. Nos procedimentos de irradiação com elétrons foram utilizados dois protótipos de sonda dosimétrica, sendo que um deles foi projetado para evitar a deterioração dos contatos elétricos e da metalização dos diodos, fenômeno observado durante o desenvolvimento do projeto. A queda da sensibilidade dos diodos FZ e MCz pré-irradiados foi de aproximadamente 10% e 40%, respectivamente, durante os procedimentos de irradiação com elétrons para uma dose acumulada total de 1,25 MGy. A influência dos danos causados por esse tipo de radiação nas propriedades elétricas dos diodos FZ e MCz foi avaliada por meio das medições de corrente de fuga e da capacitância em função da tensão de polarização. A corrente de fuga, que aumenta com a dose de radiação acumulada, não contribui significativamente para a formação do sinal de corrente durante a irradiação, uma vez que os diodos são operados no modo fotovoltaico, ou seja, sem tensão de polarização. Para o diodo MCz não foram observadas alterações significativas dos valores de tensão de depleção total, evidenciando sua maior tolerância aos danos induzidos pela radiação, como esperado. Como durante os procedimentos de irradiação com elétrons há uma variação acentuada dos valores de temperatura, a influência deste parâmetro para as medições de corrente elétrica foi avaliada por meio da extrapolação dos valores de corrente de fuga até 35°C. A contribuição da corrente de fuga para a corrente induzida pela radiação, devido ao aumento da temperatura, não ultrapassa 0,1% para os diodos FZ e MCz. A influência do tipo de radiação, elétrons ou raios gama, na pré-dose dos diodos foi avaliada para o dispositivo FZ do tipo n e observou-se que a pré-irradiação com elétrons é mais eficiente no tocante à queda da sensibilidade dos dispositivos. Os resultados apresentados neste trabalho indicam a potencialidade da aplicação dos diodos FZ e MCz como dosímetros em processos de irradiação de rotina com raios gama e elétrons. Vale ressaltar que a vantagem do sistema proposto reside na possibilidade de acompanhamento em tempo real dos processos envolvidos, sobretudo para elétrons, permitindo a monitoração dos parâmetros dos aceleradores, tais como velocidade de esteira e corrente elétrica de feixe.
Palavras-Chave: dosimetry; gamma radiation; cobalt 60; electron beams; si semiconductor detectors; silicon diodes; radiation hazards; sensitivity
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IPEN-DOC 09306
- LANDI, TANIA R.L.
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Estudo do efeito da radiacao ionizante por feixe de eletrons sobre o terpolimero acrilonitrila butadieno estireno - ABS.
2003.
Dissertacao (Mestrado) -
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP,
Sao Paulo.
78 p.
Orientador: Leonardo Gondim de Andrade e Silva.
Palavras-Chave: polymers; thermoplastics; acrylonitrile; butadiene; styrene; radiation effects; ionizing radiations; electron beams
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IPEN-DOC 11097Desenvolvimento de um focalizador magnético utilizando um arranjo periódico de ímãs permanentes para aplicaçãao em dispositivos de microondas de potência. 2005. Dissertacao (Mestrado) - Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP, Sao Paulo. 125 p. Orientador: Claudio Costa Motta.
Palavras-Chave: electron beams; focusing; magnetic fields; permanent magnets; travelling wave tubes; magnetic flux; flux density; electron guns; computerized simulation
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IPEN-DOC 11642
- PODADERA, PRISCILLA
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Estudo das propriedades do açucar líquido invertido processado com radiação gama e feixe de elétrons
/ Study of the properties of inverted liquid sugar processed with gamma radiation and electron beam
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2007.
Tese (Doutoramento) -
Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP,
São Paulo.
105 p.
Orientador: Susy Frey Sabato.
DOI:
10.11606/T.85.2007.tde-11062013-093417
Abstract: O Brasil ocupa posição de destaque no mercado de açúcar a granel e consumo elevado deste ingrediente na forma líquida, em especial pelas indústrias de bebidas e alimentos. O açúcar líquido apresenta vantagens em relação ao açúcar a granel como facilidade do manuseio e dosagem, espaço reduzido para a armazenagem, redução das perdas, custos e mão-de-obra, melhora na sanitização e grande variação possível nas proporções de diferentes misturas de açúcares. O açúcar Uquido invertido é uma solução de sacarose, glicose e frutose em água e recebe esse nome porque durante a sua produção há a inversão do poder óptico de rotação da solução. No processo produtivo do açúcar invertido existem alguns pontos que podem gerar a contaminação por microrganismos, dessa forma torna-se importante o desenvolvimento de técnicas que propiciem a sanitização eficiente desta matéria-prima. Este trabalho estudou duas técnicas alternativas de controle microbiano: a radiação gama com fonte de cobalto-60 e a radiação com feixe de elétrons. O estudo foi conduzido nas doses de 5, 10, 20, 30 e 50 kGy. O teor de sacarose apresentou decréscimo com a radiação indicando que ocorreu a quebra da ligação glicosídica com a formação de glicose e fioitose, gerando o aumento do teor de sólidos solúveis. Ocorreu a formação de compostos ácidos, confirmado pela redução de pH, que foi proporcional ao aumento da dose de radiação. As maiores doses provocaram alterações na cor do xarope pela formação de polímeros com cadeia molecular longa. A viscosidade nas amostras irradiadas com radiação gama aumentou em relação ao controle, indicando a prevalência de polimerização das moléculas, enquanto que na radiação com feixe de elétrons a polimerização foi observada somente na amostra que recebeu a dose de 50 kGy. Na análise sensorial, os julgadores apontaram diferença significativa (5%) no sabor entre o controle e as amostras irradiadas com 5 kGy, nas duas técnicas de processamento. Não foi possível identificar o efeito da radiação gama no controle de bolores e leveduras.
Palavras-Chave: saccharose; sugar cane; food processing; gamma radiation; electron beams; physical radiation effects; radiopreservation; sugar industry; radiation doses; cobalt 60
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O gerenciamento do Repositório está a cargo da Biblioteca do IPEN. Constam neste RI, até o presente momento 20.950 itens que tanto podem ser artigos de periódicos ou de eventos nacionais e internacionais, dissertações e teses, livros, capítulo de livros e relatórios técnicos. Para participar do RI-IPEN é necessário que pelo menos um dos autores tenha vínculo acadêmico ou funcional com o Instituto. Nesta primeira etapa de funcionamento do RI, a coleta das publicações é realizada periodicamente pela equipe da Biblioteca do IPEN, extraindo os dados das bases internacionais tais como a Web of Science, Scopus, INIS, SciElo além de verificar o Currículo Lattes. O RI-IPEN apresenta também um aspecto inovador no seu funcionamento. Por meio de metadados específicos ele está vinculado ao sistema de gerenciamento das atividades do Plano Diretor anual do IPEN (SIGEPI). Com o objetivo de fornecer dados numéricos para a elaboração dos indicadores da Produção Cientifica Institucional, disponibiliza uma tabela estatística registrando em tempo real a inserção de novos itens. Foi criado um metadado que contém um número único para cada integrante da comunidade científica do IPEN. Esse metadado se transformou em um filtro que ao ser acionado apresenta todos os trabalhos de um determinado autor independente das variáveis na forma de citação do seu nome.
A elaboração do projeto do RI do IPEN foi iniciado em novembro de 2013, colocado em operação interna em julho de 2014 e disponibilizado na Internet em junho de 2015. Utiliza o software livre Dspace, desenvolvido pelo Massachusetts Institute of Technology (MIT). Para descrição dos metadados adota o padrão Dublin Core. É compatível com o Protocolo de Arquivos Abertos (OAI) permitindo interoperabilidade com repositórios de âmbito nacional e internacional.
1. Portaria IPEN-CNEN/SP nº 387, que estabeleceu os princípios que nortearam a criação do RDI, clique aqui.
2. A experiência do Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN-CNEN/SP) na criação de um Repositório Digital Institucional – RDI, clique aqui.
O Repositório Digital do IPEN é um equipamento institucional de acesso aberto, criado com o objetivo de reunir, preservar, disponibilizar e conferir maior visibilidade à Produção Científica publicada pelo Instituto, desde sua criação em 1956.
Operando, inicialmente como uma base de dados referencial o Repositório foi disponibilizado na atual plataforma, em junho de 2015. No Repositório está disponível o acesso ao conteúdo digital de artigos de periódicos, eventos, nacionais e internacionais, livros, capítulos, dissertações, teses e relatórios técnicos.
A elaboração do projeto do RI do IPEN foi iniciado em novembro de 2013, colocado em operação interna em julho de 2014 e disponibilizado na Internet em junho de 2015. Utiliza o software livre Dspace, desenvolvido pelo Massachusetts Institute of Technology (MIT). Para descrição dos metadados adota o padrão Dublin Core. É compatível com o Protocolo de Arquivos Abertos (OAI) permitindo interoperabilidade com repositórios de âmbito nacional e internacional.
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